额定数据
       ◎ 额定直流电压
             ▲ 220V或110V（订货注明）。
       ◎ 功率消耗
             ▲ 直流电源回路： 正常工作时不大于20W；保护动作时不大于30W。
       ◎ 状态电平
             ▲ 各CPU及通讯接口模件的输入状态电平：5V；
             ▲ 开关量输入状态电平： 24V（18V～30V）。
主要技术性能
       ◎ 接点容量
             ▲ 信号触点：AC 125V、0.6A；DC 110V、0.6A；DC 30V、2A。
       ◎ 准确度
             ▲ 遥信分辨率：4ms。
       ◎ 过载能力
             ▲ 直流电源回路：80%～115%电压连续工作。
       ◎ 环境条件
             ▲ 保存温度：-40℃～80℃（储存及运输过程中的允许温度范围）；
             ▲ 工作温度：-25℃～55℃（确定装置基本性能及准确度的环境温度）；
             ▲ 相对湿度：5%～95%（不结露）；
             ▲ 大气压力：80kPa～110kPa。
绝缘性能
       ◎ 绝缘电阻
              装置的带电部分和非带电部分及外壳之间以及电气上无联系的各电路之间用开路电压500V的兆欧表测
       量其绝缘电阻值,正常试验大气条件下，各等级的各回路绝缘电阻不小于100MΩ。
       ◎ 介质强度
              在正常试验大气条件下装置能承受频率为50Hz、电压2000V历时1分钟的工频耐压试验而无击穿闪络
       及元件损坏现象。试验过程中，任一被试回路施加电压时其余回路等电位互联接地。
       ◎ 冲击电压
              在正常试验大气条件下，装置的电源输入回路、交流输入回路、输出触点回路对地，以及回路之间，
       能承受1.2/50µs 的标准雷电波的短时冲击电压试验，开路试验电压5KV。
电磁兼容性能
       ◎ 静电放电抗干扰度
              通过GB/T 17626.2-1998 规定的静电放电抗干扰Ⅳ级试验。
       ◎ 射频电磁场辐射抗干扰度
              通过GB/T 17626.3-1998 规定的射频电磁场辐射抗干扰度Ⅲ级试验。
       ◎ 电快速瞬变脉冲群抗干扰度
              通过GB/T 17626.4-1998 规定的电快速瞬变脉冲群抗干扰度Ⅳ级试验。
       ◎ 浪涌（冲击）抗扰度
              通过GB/T 17626.5-1998 规定的浪涌（冲击）抗扰度Ⅲ级试验。
       ◎ 射频场感应的传导骚扰度
              通过GB/T 17626.6-1998 规定的射频场感应的传导骚扰度Ⅲ级试验。
       ◎ 工频磁场抗扰度
              通过GB/T 17626.8-1998 规定的工频磁场抗扰度Ⅲ级试验。
       ◎ 脉冲磁场抗扰度
              通过GB/T 17626.9-1998 规定的脉冲磁场抗扰度Ⅲ级试验。
       ◎ 阻尼振荡磁场抗扰度
              通过GB/T 17626.10-1998 规定的阻尼振荡磁场抗扰度Ⅲ级试验。
       ◎ 阻尼波抗扰度
              通过GB/T 17626.11-1998 规定的阻尼波抗扰度Ⅲ级试验。
       ◎ 辐射发射限值试验
              通过GB9254-1998 规定的辐射发射限值A类试验。
机械性能
       ◎ 振动
              装置能承受GB/T 7261-2000 16.3 规定的严酷等级为Ⅰ级的振动耐久能力试验。
       ◎ 冲击
              装置能承受GB/T 7261-2000 17.5 规定的严酷等级为Ⅰ级的冲击耐久能力试验。
       ◎ 碰撞
              装置能承受GB/T 7261-2000 第18 章规定的严酷等级为Ⅰ级的碰撞能力试验。